- 深圳市斌腾达科技有限公司
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- IC产品 | 元器件产品
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- 序号
- 产品图片
- 产品信息
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- 名称：STB34N50DM2AG
- 类别：场效应管
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：STB34N50DM2AG 全新原装正品 全系列优势MOS管 大量原装现货库存 欢迎来电咨询！！MOSFET Automotive-grade N-channel 500 V, 0.10 Ohm typ., 26 A MDmesh DM2 Power
- 更新：2020-09-08 12:04:07
- 182
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- 名称：STB37N60DM2AG
- 类别：场效应管
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：STB37N60DM2AG 全新原装正品 全系列MOS管优势库存 大量原装现货库存 欢迎来电咨询！！MOSFET Automotive-grade N-channel 600 V, 0.094 Ohm typ., 28 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a D2PA
- 更新：2020-09-08 12:04:06
- 183
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- 名称：STD105N10F7AG
- 类别：场效应管
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：STD105N10F7AG 全新原装正品 全系列优势MOS管 大量原装现货 欢迎来电咨询！！MOSFET Automotive-grade N-channel 100 V, 6.8 mOhm typ., 80 A STripFET F7
- 更新：2020-09-08 12:04:05
- 184
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- 名称：STB27NM60ND
- 类别：场效应管
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：STB27NM60ND 全新原装正品 全系列优势MOS管 欢迎来电咨询！！技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TO-263-3通道数量:1 Channel晶体管极性:N-ChannelVds-漏源极击穿电压:600 VId-连续漏极电流:21 ARds On-漏源导通电阻:130 mOhmsVgs -
- 更新：2020-09-08 12:04:04
- 185
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- 名称：STH185N10F3-6
- 类别：场效应管
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：STH185N10F3-6 全新原装正品 全系列优势订货 欢迎来电咨询！！MOSFET Automotive-grade N-channel 100 V, 3.9 mOhm typ., 180 A STripFET F3 Power MOSFET in H2PAK-
- 更新：2020-09-08 12:04:03
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- 名称：STH185N10F3-2
- 类别：场效应管
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：STH185N10F3-2 全新原装正品 全系列优势MOS管 大量原装现货库存 欢迎来电咨询！！MOSFET Automotive-grade N-channel 100 V, 3.9 mOhm typ., 180 A STripFET F3 Power
- 更新：2020-09-08 12:04:02
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- 名称：STD120N4LF6
- 类别：场效应管
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：STD120N4LF6 全新原装正品 全系列优势MOS管 公司大量原装现货 欢迎来电咨询！！MOSFET N-Ch 40V 3.1 mOhm 80A STripFET VI Deep安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TO-252-3通道数量:1 Channel晶体管极性
- 更新：2020-09-08 12:04:01
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- 名称：STH145N8F7-2AG
- 类别：场效应管
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：STH145N8F7-2AG 全新原装正品 全系列优势MOS管 大量原装现货库存 欢迎来电咨询！！MOSFET Automotive-grade N-channel 80 V, 3.3 mOhm typ., 90 A STripFET F7 Power MOSFET in H2PAK-2
- 更新：2020-09-08 12:04:00
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- 名称：STB120N4F6
- 类别：场效应管
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：STB120N4F6 全新原装正品 全系列优势MOS管 大量原装现货 欢迎来电咨询！！MOSFET N-Ch 40V 4mOhm 80A STripFET VI DeepGATE安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TO-263-3通道数量:1 Channel晶体管极性:
- 更新：2020-09-08 12:03:59
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- 名称：STB18NF30
- 类别：场效应管
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：STB18NF30 全新原装正品 全系列优势MOS管 大量原装现货库存 欢迎来电咨询！！MOSFET N-Ch 330V 18A MOS STripFET II D2PAK技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TO-263-3晶体管极性:N-ChannelVds-漏源极击穿电压:330 VId-连续漏极电流:18 ARds On-漏源导通电阻:180 mOhmsQg-栅极电荷:44 nCPd-功率耗散:150 W资格:AEC-Q101
- 更新：2020-09-08 12:03:58
