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深圳市斌腾达科技有限公司
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IC产品 | 元器件产品
  • 序号
  • 产品图片
  • 产品信息
  • 161
  • 名称:IPD50N03S2L06ATMA1
    类别:场效应管
    市场价:
    本站价:
    说明:IPD50N03S2L06ATMA1           全新原装正品        全系列优势MOS管  大量原装现货   欢迎来电咨询!!MOSFET N-Ch 30V 50A DPAK-2 OptiMOS安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TO-252-3通道数量:1 Chann
    更新:2020-09-08 12:04:17
  • 162
  • 名称:AUIRLL014NTR
    类别:场效应管
    市场价:
    本站价:
    说明: AUIRLL014NTR      全新原装正品    全系列优势MOS管  大量原装现货   欢迎来电咨询!!MOSFET 55V, Logic level 2A 140 mOhm Auto MOSFET安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOT-223-4晶体管极性:N-ChannelVds-漏源极击穿电压:55 VI
    更新:2020-09-08 12:04:16
  • 163
  • 名称:IPD90N04S4L04ATMA1
    类别:场效应管
    市场价:
    本站价:
    说明:IPD90N04S4L04ATMA1            全新原装正品     全系列优势MOS管  大量原装现货    欢迎来电咨询!1MOSFET N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TO-252-3通道数量:1 Cha
    更新:2020-09-08 12:04:16
  • 164
  • 名称:IPD75N04S406ATMA1
    类别:场效应管
    市场价:
    本站价:
    说明:IPD75N04S406ATMA1          全新原装正品     全系列优势MOS管大量原装现货  欢迎来电咨询!!MOSFET N-Ch 40V 75A DPAK-2 OptiMOS-T2技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TO-252-3通道数量:1 Channel晶体管极性:N-ChannelVds-漏源极击穿电压:40 VId-连续漏极电流:75 ARds On-漏源导通电阻:5.9 mOhms配置:Single资格:AEC-Q101
    更新:2020-09-08 12:04:15
  • 165
  • 名称:STB36NM60N
    类别:场效应管
    市场价:
    本站价:
    说明:STB36NM60N        全新原装正品     全系列优势MOS管   大量原装现货   欢迎来电咨询!!MOSFET N-Ch 600V 0.092Ohm 29A MDMesh II MOS技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TO-263-3通道数量:1 Channel晶体管极性:N-ChannelVds-漏源极击穿电压:600 VId-连续漏极电流:29 ARds On-漏源导通电阻:105 mOhmsQg-栅极电荷:83.6 nCPd-功率耗散:210 W配置:Single资格:AEC-Q101
    更新:2020-09-08 12:04:14
  • 166
  • 名称:STB30NF20L
    类别:场效应管
    市场价:
    本站价:
    说明:STB30NF20L         全新原装正品     全系列优势MOS管  大量原装现货   欢迎来电咨询!!MOSFET N-Ch 200V 0.065 Ohm 30A STripFET 150W安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TO-263-3通道数量:1 Channel晶体管极性:N-ChannelVds-漏源极击穿电压:200 VId-连续漏极电流:30 ARds On-漏源导通电阻:65 mOhmsPd-功率耗散:150 W配置:Single资格:AEC-Q101
    更新:2020-09-08 12:04:13
  • 167
  • 名称:STD10NF30
    类别:场效应管
    市场价:
    本站价:
    说明:STD10NF30         全新原装正品      全系列优势MOS管公司大量原装现货      欢迎来电咨询!!MOSFET Automotive-grade N-channel 300 V, 0.28 Ohm typ., 10 A MESH OVERLAY Power MOSFET in a DPAK package封装 / 箱体:TO-252-3通道数量:1 Channel晶体管极性:N-Channel配置:Single资格:AEC-Q101
    更新:2020-09-08 12:04:12
  • 168
  • 名称:STH410N4F7-6AG
    类别:场效应管
    市场价:
    本站价:
    说明:STH410N4F7-6AG          全新原装正品      全系列优势MOS管公司大量原装现货库存    欢迎来电咨询!!MOSFET Automotive-grade N-channel Power MOSFET 40 V, 0.8 mOhm typ, 200 A STripFET F
    更新:2020-09-08 12:04:12
  • 169
  • 名称:STD170N4F7AG
    类别:场效应管
    市场价:
    本站价:
    说明:STD170N4F7AG               全新原装正品       全系列优势MOS管大量原装现货库存      欢迎来电咨询!!MOSFET Automotive-grade N-channel 40 V, 2.2 mOhm typ., 80 A STri
    更新:2020-09-08 12:04:11
  • 170
  • 名称:IPB180N08S402ATMA1
    类别:场效应管
    市场价:
    本站价:
    说明:IPB180N08S402ATMA1             全新原装正品     全系列优势MOS管  大量原装现货  欢迎来电咨询!!MOSFET N-CHANNEL 75/80V封装 / 箱体:TO-263-7通道数量:1 Channel晶体管极性:N-ChannelVds-漏源极击穿电压:8
    更新:2020-09-08 12:04:10
电话:086-0755-82815082 传真:086-0755-82815039 Email: 联系人:赵 深圳市福田区华强北路赛格科技园4栋西5楼C01
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